Samsung ha lanzado el módulo RAM DTR5 de 512 GB

Samsung tiene Publicado Un nuevo módulo RAM Memoria DTR5 En términos de velocidad y eficiencia. El módulo DTR5 de 512 GB utiliza primero la tecnología Hi-K Metal Gate (HKMG), que ofrece una velocidad de 7.200 Mbps, el doble que el DTR4, dijo Samsung. Ahora, se dirige a las funciones de supercomputación, inteligencia artificial y aprendizaje automático que consumen datos, pero DTR5 eventualmente encontrará su camino hacia las PC normales, impulsando los juegos y otras aplicaciones.

Samsung utilizó por primera vez la tecnología HKMG en 2018 con los chips GDTR6 utilizados en las GPU. Desarrollado por Intel, utiliza hafnio en lugar de silicio, que contiene metales en lugar de electrodos de puerta de polisilicio ordinarios. Todo esto permite una mayor densidad de chips, mientras que al mismo tiempo reduce la fuga de corriente.

Cada chip utiliza ocho capas de chips de tranvía de 16 GB con una capacidad de 128 GB o 16 GB. Entonces, Samsung necesita 32 personas para producir un módulo RAM de 512 GB. Además de la alta velocidad y la capacidad, Samsung usa un 13 por ciento menos de energía que los módulos que no son HKMG, adecuado para centros de datos, pero no tan malo para PC normales.

Con una velocidad de 7.200 Mbps, el último módulo de Samsung ofrece una velocidad de transferencia de 57,6 GB / s por canal. En un comunicado de prensa de Samsung, Intel señaló que su próxima generación “Sapphire Rapids” será compatible con los procesadores escalables Zion. Esa configuración usará una Controlador de memoria DTR5 de ocho canales, Por lo que puede ver muchas configuraciones de memoria de terabytes de hasta 460 GB / V con velocidad de transferencia de memoria. Mientras tanto, es probable que las primeras PC de consumo lleguen en 2022 cuando se lance AMD. Sistema operativo Gen 4, Qué Rumor Para admitir DDR5.